تعریف ترانزیستور پیوندی دو قطبی (BJT)

تعریف ترانزیستور پیوندی دو قطبی (BJT):
ترانزیستور یک قطعه نیمه هادی با سه پایه کلکتور (Collector)، امیتر (Emitter) و بیس (Base) است و عمدتاً برای تقویت و سوئیچینگ سیگنال های الکترونیکی استفاده می شود.

می توان گفت جان باردین، ویلیام شاکلی و والتر براتین مخترعان ترانزیستور بوده اند. آن ها ابتدا ترانزیستور نقطه ای را در سال 1947 و سپس در سال 1948 ترانزیستور پیوندی دو قطبی را اختراع کردند.

شکل زیر ساختار واقعی و نمای داخلی ترانزیستور پیوندی دو قطبی (BJT) را نشان می دهد.

بیس یک BJT نازک ترین لایه با حجم کم را دارد. پس از آن، امیتر دارای حجم متوسط است و کلکتور بیشترین حجم را در ساختار ترانزیستور پیوندی دوقطبی اشغال می کند.

چگالی پایه های مختلف ترانزیستور نیز متفاوت است. کلکتور کمترین میزان چگالی ناخالصی را دارد.

پس از آن، چگالی ناخالصی بیس متوسط است، در حالی که امیتر ترانزیستور BJT بیشترین چگالی را دارد.

ترانزیستور پیوندی دو قطبی (BJT) دو نوع اصلی دارد:

• ترانزیستورهای NPN: دو لایه نیمه هادی نوع N توسط یک لایه نوع P از هم جدا می شوند.
• ترانزیستورهای PNP: دو لایه نیمه هادی نوع P با یک لایه نوع N جدا می شوند.

نماد این دو ترانزیستور در جهت پیکان با یکدیگر متفاوت است. اگر پیکان به سمت امیتر باشد، ترانزیستور NPN است و اگر پیکان به سمت بیس باشد، ترانزیستور PNP است.

در ترانزیستورهای NPN جهت جریان از کلکتور به امیتر است، در حالی که در ترانزیستورهای PNP جهت جریان از امیتر به کلکتور است.

ترانزیستورهای NPN هنگام ورود الکترون ها به پایه بیس روشن می شوند، در حالی که ترانزیستورهای PNP هنگام ورود حفره ها به پایه بیس روشن می شوند.

در ترانزیستورهای NPN اکثر حامل های بار الکترون هستند و در ترانزیستورهای PNP حامل های اکثریت حفره ها هستند.

در صنعت، بیشتر از ترانزیستورهای نوع NPN استفاده می شود.