ساختار دیود خازنی

ساختار دیود خازنی:
دیود خازنی از نیمه رساناهای نوع P و نوع N ساخته شده است. در نیمه رسانای نوع N، الکترون های آزاد، حامل های اکثریت و حفره ها حامل های اقلیت هستند.

بنابراین الکترون های آزاد در یک نیمه رسانای نوع N بخش عمده جریان را حمل می کنند. اما در نیمه رسانای نوع P، حفره ها به عنوان حامل های اکثریت و الکترون های آزاد به عنوان حامل های اقلیت در نظر گرفته می شوند، بنابراین در نیمه رسانای نوع P، قسمت عمده جریان توسط حفره ها حمل می شود.

در تصویر زیر نمایی از تشکیل پیوند P-N در یک دیود خازنی دیده می شود.

زمانی که یک نیمه رسانای نوع P با یک نیمه رسانای نوع N در تماس قرار گیرد، یک پیوند P-N بین آن ها شکل می گیرد.

این پیوند P-N نیمه رساناهای نوع P و نوع N را از یکدیگر جدا می کند. در محل اتصال نیمه رسانای P و نیمه رسانای N یک ناحیه تخلیه (Depletion Region) ایجاد می شود.

ناحیه تخلیه به ناحیه ای گفته می شود که حامل های بار متحرک (الکترون های آزاد و حفره ها) در آن حضور ندارند. در تصویر زیر نمایی از ناحیه تخلیه در پیوند P-N دیود خازنی نشان داده شده است.

ناحیه تخلیه از یون های مثبت و منفی ساخته می شود. این یون های مثبت و منفی از یک محل به محل دیگر حرکت نمی کنند.

ناحیه تخلیه، الکترون های آزاد را از طرف سمت N و حفره ها را از سمت ناحیه P مسدود می کنند. بنابراین این تخلیه، مانع جریان الکتریکی در طول پیوند P-N می شود.

نماد مداری دیود خازنی در تصویر زیر نشان داده شده است.

نماد مداری متعلق به دیود خازنی بسیار شبیه به نماد مداری دیود پیوند P-N معمولی است. دو خط موازی در طرف کاتد، نشان دهنده نمادی دو صفحه است و فضای بین آن دو خط موازی نشان دهنده دی الکتریک بین صفحات است.